Дать рекламу
Регистрация Забыли пароль?
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
+7 499 735-22-71
сегодня: 21 июля 2026 г 07:13

Новости

25 Янв 2019 10:58
Просмотров: 928

Завод Ангстрем-Т освоил технологию производства Trench MOSFET

АО «Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово применяются в любой электронной технике, где необходимо преобразовывать и управлять электроэнергией: например, в каждом устройстве, для работы которого используется аккумулятор или блок питания.

В отличие от планарной, Trench MOSFET-технология позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты.

Объем мирового рынка MOSFET транзисторов составляет не менее 6 млрд долларов в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.

АО «Ангстрем-Т» - ведущий российский производитель субмикронных полупроводниковых изделий с базовыми топологическими нормами 250-130-90 нм с перспективой перехода на 65 нм, включая технологические опции. АО «Ангстрем–Т» предоставляет технологическую платформу коллективного пользования инновационным компаниям на контрактной основе, а также научно-исследовательский центр по разработке новой продукции и технологий.

Рубрика: Работа и бизнес

Версия для печати

Комментарии (0):

Чтобы оставлять комментарии, сначала авторизуйтесь или зарегистрируйтесь

Новости по теме