Новости

В рамках VI Международного Форума «Микроэлектроника 2019» начала свою работу XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Об этом сообщается на сайте НИИМЭ.

Основные задачи Школы и Конференции – привлечение в науку талантливой молодежи, обсуждение важнейших проблем современной микроэлектроники, обмен новейшей научной информацией в области микроэлектронных технологий и материаловедения.

Организаторами Школы и Конференции выступили Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук (ОНИТ РАН), научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (НИИМЭ).

В работе Школы и Международной Конференции в этом году очно принимают участие более 80 студентов, аспирантов и ученых из ведущих технических вузов и научных организаций России, Белоруссии, Греции, Казахстана, Латвии, Польши, Узбекистана: НИИМЭ, ИФТТ РАН, ИФП ИСО РАН, ИПТМ РАН, ИСВПЧЭ РАН, ФИЦ ИУ РАН, ФТИ им. А.Ф, Иоффе РАН, МФТИ, РТУ МИРЭА, НИТУ «МИСиС», НИЯУ МИФИ, НИУ ВШЭ, НИУ МИЭТ, МГТУ им. Баумана, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Воронежский государственный университет, Самарский университет, ФГАОУ ВО «Севастопольский государственный университет» и др., и еще более 70 специалистов и соавторов докладов участвуют в конференции в режиме онлайн.

Ученые выступают в восьми секциях с докладами по основным направлениям технологий микроэлектроники и материаловедения:

• материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста;
• получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики;
• процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, гетерограницы;
• тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрик;
• физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений;
• технологии микроэлектроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику;
• математическое моделирование технологических процессов и кремниевых компонентов, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения;
• кремниевая электронная компонентная база микроэлектроники, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающих структур, фотоприемников, микромеханики и сенсорики;
• кремниевая микроэлектроника в проблематике искусственного интеллекта и нейроподобных систем.

Открывая работу Школы сопредседатель программного комитета д.ф.-м.н., профессор А.Г. Итальянцев передал приветствия Школе и Конференции от академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, заведующего базовой кафедры «Микро- и наноэлектроники» Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики (ФЭФМ) Московского физико-технического института (МФТИ) академика Г.Я. Красникова, председателя Оргкомитета «Школы молодых ученых», заместителя заведующего базовой кафедры «Микро- и наноэлектроники» ФЭФМ МФТИ, д.т.н., профессора, члена-корреспондента РАН Е.С. Горнева и их пожелания успешного проведения научного форума.

– Форум действительно важный, особенно для молодежи. Молодежь на таких мероприятиях скачками получает дополнительные знания, и кто-то из мудрых сказал, что можно из книги черпать знания, но личная беседа и участие в конференциях – это событие, которое дает наиболее эффективный прилив потока информации, общения, знакомства, которые в последующем очень важны. До сих пор, несмотря на появление новых полупроводниковых материалов, кремний остается основным элементом микроэлектроники: более 90% приборов изготавливаются именно на его основе. За последние десятилетия существенно изменилась наука о нем: появились новые приборы, например, энергонезависимая память, транзисторы, которые вышли за пределы представления о планарной технологии. Появились и новые материалы. Если несколько десятилетий назад основными материалами кремниевой микроэлектроники были собственно сам кремний, и диэлектрик в виде SiO2, то на сегодня спектр таких материалов существенно шире. Помимо материалов целые направления вокруг кремния обновились. Поэтому поле для науки в этой области, оно огромное и все расширяется. И здесь надежда на молодежь, которая подхватит добрые традиции своих наставников и поведет эту науку дальше. В нескольких секциях конференции будут рассмотрены вопросы различного назначения: от физики и до физических основ технологии и приборов. Поэтому в добрый путь, всем успехов и интересных дискуссий, – напутствовал участников Школы и Конференции профессор А.Г. Итальянцев.

Сопредседатель программного комитета главный научный сотрудник ИФТТ РАН д.ф.-м.н., профессор, академик РАН В.В. Кведер отметил:

– «Кремний» у нас уже тринадцатая конференция, а школа – двенадцатая. Это многолетняя традиция, поэтому я предлагаю эту традицию поддерживать и не дать ей умереть. Для науки конференции – вещь совершенно необходимая. Есть журналы, есть публикации, а есть конференции – это совершенно разные методы получения информации. В принципе, сами доклады на конференции – это только «затравка» для знакомства: ученый делает доклад, чтобы представиться. А основное на конференции – это общение. Поэтому я настоятельно рекомендую всем побольше общаться, потому что во время разговора появляются новые идеи, а это сильно продвигает науку. Давайте пожелаем нашим конференции успеха, регулярного общения и новых идей.